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TM2132是一个高压、高速的MOSFET、IGBT驱动器。它有三个半桥式栅极驱动，高压侧的VS引脚采用浮动电压设计，可以适应浮动电压达200V的半桥电路，上下桥互补设计，允许高端采用N沟道的MOSFET、IGBT；TM2132的逻辑?；すδ?，可以防止上下桥直通，提高整个电路的可靠性。

?  VS引脚允许浮动的电压高达+200V，适用于自举升压操作 
?  栅极驱动器的电压范围宽（10V-17V）

?  VCC具备欠压锁定功能，在欠压时关断输出 
?  输入兼容3.3V、5V CMOS逻辑电平

?  所有输入引脚都有CMOS施密特触发器，提高抗噪声能力
?  高端输出相位与（A、B、C）HIN同相
?  低端输出相位与反相
?  内置逻辑?；?/span>

?  内置死区时间

?  拉电流能力为130mA

?  灌电流能力为270mA

?  封装形式：SSOP20、QSOP20